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555芯片高压产生电路

作者:佚名    文章来源:不详    点击数:    更新时间:2010/11/15

 

NE555

高压产生电路如图39-6所示。


图39-6

         图中,IC555时基电路与电阻R1、R2和电容C1、C2组成无稳态振荡电路,当电源接通后,电路产生高频振荡,直接推动功率放大管BG,经放大后的振荡电流由升压变压器B的升压,再经高压硅堆整流,即可得到3~5kV的直流高压,可用于负离子发生器及静电吸尘等方面。

        BG的β>25,BVCEO>50V。

         B可选用22.9~30.5cm(9~12英寸)电视机行输出变压器,高压包不动,低压包用φ0.5mm左右的高强度添包线,绕25~30圈,也可直接使用摩托车上的点火线圈。

D为15kV的高压硅堆。

高压产生电路的印刷电路如图39-7所示。


图39-7

点击查看:555内部结构,特点及引脚图

Tags:高电压产生,电路,555  
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