三极管靠电流控制，MOS管靠电压控制，就像三极管听爸妈的话，MOS管听老师的话。

mos管是一个四端器件，具有源极 (S)、漏极 (D) 和栅极端子 (G) 和体 (B) 端子。主体经常连接到源端子，将端子减少到三个。它通过改变电荷载流子（电子或空穴）流动的通道宽度来工作。

IGBT的工作原理是通过栅极电压控制集电极与发射极之间的导通与关断，实现高效的电能转换与开关控制。

‌IGBT模块与MOS管的主要区别在于其结构、应用场景、电压和电流处理能力以及开关速度等方面。‌

igbt模块与mos的区别结构差异
IGBT模块的结构是NPN型MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，利用电导调制作用，使得IGBT在高压和大电流下具有很低的压降。而MOS管则是通过栅极电压控制漏极电流的通断，其结构相对简单。‌