(1)IGBT的基本结构绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）是功率场效应管与双极型(PNP或NPN）管复合后的一种新型复合型器件。

其图形符号如图11-1所示。IGBT基本结构如图11-1 ( a）所示，是由栅极G、发射极C、集电极E组成的三端口电压控制器件，常用N沟道IGBT内部结构简化等器件，常用N沟道IGBT内部结构简化等效电路如图11-1 (b）所示。IGBT的封装与普通双极型大功率三极管相同，有多种封装形式，如图11-2所示。

(2)IGBT的主要参数

①最大集电极电流Icm:表征IGBT的电流容量，分为直流条件下的I和1ms脉冲条件下的Icp

②集电极-发射极最高电压UCES:表征IGBT集电极-发射极的耐压能力。目前IGBT耐压等级有600V、1000V、1200V、1400V、1700V、3300V。

③栅极-发射极击穿电压UGEM:表征IGBT栅极-发射极之间能承受的最高电压，其值一般为±20V。

④栅极-发射极开启电压Uge( th):指IGBT器件在一定的集电极-发射放电压 Uce下，流过一定的集电极电流Ic时的最小开栅电压。当栅源电压等于开启电压Uge( th ).时，IGBT开始导通。

⑤输入电容Cies:指IGBT在一定的集电极-发射极电压Uce和栅极-发射极电压Uge=0下，栅极-发射极之间的电容，表征栅极驱动瞬态电流特征。

⑥集电极最大功耗Pcm:表征IGBT最大允许功能。