磁敏电阻器(简称磁阻)元件是利用电流磁效应制成的传感器，使用的材料有半导体和强磁性金属，半导体材料有Insb和GaAs等，强磁性金属有Ni—Fe和Ni-Co等，它们的磁场都非常微弱，不能单独使用，要与偏置磁铁及高增益放大器组合使用。
不同材料的磁阻元件其特性差异较大，对于半导体磁阻元件，若外加磁场，则磁阻元件内部电阻增大，对磁场表现为正磁性；对于强磁性金属磁阻元件，特性正好相反，外加磁场时其内部电阻减小，表现为负磁性。 图2—43为磁阻元件的结构，
图2—43a是单个磁阻元件的结构，它是在偏置磁铁的表面上形成磁阻元件的结构，偏置磁铁要采用稀土族那类小形而磁能积高的磁铁。图2—43b为复合型结构，有两个磁阻元件在同一平面上形成，因而改善了其温度特性。一般做成差动式使用。

磁敏电阻器的原理

磁敏电阻器是利用磁阻效应制成的，其阻值会随穿过它的磁通量密度的变化而变化。

半导体磁阻元件在弱磁场中的电阻率p与磁感应强度B之间有如下的关系：

当半导体材料确定时，磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈平方关系。上式仅适用于弱磁场，在强磁场下，磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈线性关系。

磁敏电阻器多采用锑化钢(InSb)半导体材料制造。它主要用于测定磁场强度、测量频率和功率等的测量技术，运算技术，自动控制技术以及信息处理技术，并可用于制作无触点开关和可变元接触电位器等。 

折叠磁敏电阻器参数

1）磁阻比：指在某一规定的磁感应强度下，磁敏电阻器的阻值与零磁感应强度下的阻值之比。

2）磁阻系数：指在某一规定的磁感应强度下，磁敏电阻器的阻值与其标称阻值之比。

3）磁阻灵敏度：指在某一规定的磁感应强度下，磁敏电阻器的电阻值随磁感应强度的相对变化率。

折叠磁敏电阻器应用

一般用于磁场强度、漏磁、制磁的检测；在交流变换器、频率变换器、功率电压变换器、位移电压变换器、等电路中作控制元件；还可用于接近开关、磁卡文字识别、磁电编码器、电动机测速等方面或制作磁敏传感器用。