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会员注册- 2016/11/9关于晶振，关于石英晶体振荡子的技术术语
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- 2016/11/9磁敏电阻器的结构原理
- 磁敏电阻器(简称磁阻)元件是利用电流磁效应制成的传感器[阅读全文]
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- 2016/10/28LM1117-3.3V稳压芯片引脚功能
- LM1117-3.3V稳压芯片各脚功能见附图，它可以接成固定输出和可调输出，应用电路见附图。[阅读全文]
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- 2016/10/28CD4011中文资料(功能,真值表,引脚图及电气参数)
- CD4011中文资料(功能,真值表,引脚图及电气参数) CD4011功能及真值表: 四2输入与非门CMOS芯片 逻辑表达式：Y = A.B 真值表 A=Y.B[阅读全文]
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- 2016/10/287815引脚,参数,7815稳压电路图
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- 2016/10/2774ls373引脚图及功能
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- 2016/10/17激光二极管的结构
- 普通型激光二极管主要由散热器、激光器芯片(激光二极管管芯)和光敏二极管构成。其散热器主要为激光器在工作时由于振荡而产生的热量散发而安装。[阅读全文]
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- 2016/10/13超声波传感器的基本结构
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- 2016/10/13电位器的结构
- 电位器是一种连续可调的电阻器，它的滑动臂(即动接点)的接触刷在电阻体上滑动，可获得与加在电位器上的输入电压和可动臂成一定关系的输出电压。[阅读全文]
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- 2016/10/6万能转换开关的结构和工作原理
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- 2016/9/18半导体三极管的结构
- 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型：NPN型和PNP型。中间部分称为基区，相连电极称为基极，用B或b表示（Base）； 一侧称为发射区，相连电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）； 另一侧称为集电区和集电极，用C[阅读全文]
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- 2016/9/18详解MOS场效应管的基本结构和工作原理
- MOS场效应三极管分为：增强型（又有N沟道、P沟道之分）及耗尽型（分有N沟道、P沟道）。N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图1。[阅读全文]
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- 2016/9/18结型场效应晶体管的结构
- 结型场效应三极管的结构与绝缘栅场效应三极管相似，工作机理也相同。结型场效应三极管的结构如图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。[阅读全文]
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- 2016/9/18无源晶振与有源晶振
- 晶振大体可以分为两大类：无源晶振和有源晶振。 1、无源晶振 无源晶振是一种无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来。无源晶振没有电压的要求，信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定[阅读全文]
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