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P沟道和N沟道MOS管开关电路图 mos管符号

作者:佚名    文章来源:本站原创    点击数:    更新时间:2021/11/13

你们了解过场效应管开关电路吗?该电路一般分为两种,一种是N沟道,另一种是P沟道,如果你的电路设计中要应用到高端驱动的话,可以采用PMOS来导通,感兴趣的话就随小编一起来了解下P沟道和N沟道MOS管开关电路图吧!

Mos管关电路图

MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。

各种MOS管,都是具有栅极(Gate,简称G)、漏极(Drain,简称D)、源极(Source,简称S)三个电极。其主要的工作原理,就是通过在栅源之间电压的改变,控制漏源之间的电流变化;这与三极管,用基极电流控制集电极电流(Ic)是不同的。优点在于,提供电压控制比电流控制更容易实现。由于MOS管都具有三个电极,因此,它们的顺序自然可以任意排列,但使用时,一定要注意栅极G不要搞错了,接了错误的电压,容易到导致栅下氧化层被击穿,导致器件损坏。

1、P沟道MOS管开关电路

image.png

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通,而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大,所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。

2、N沟道mos管开关电路

image.png

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源,源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差,所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时,漏极D与源极S电势相等,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压,漏极D与源极S才能继续导通。

以上就是关于场效应管开关电路的相关介绍,高端驱动一般应用的是PMOS的特性,而低端驱动一般应用于NMOS的特性,测量的是栅极G与源极S的压差。

Tags:mos管,符号  
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