你们了解过场效应管开关电路吗?该电路一般分为两种，一种是N沟道，另一种是P沟道，如果你的电路设计中要应用到高端驱动的话，可以采用PMOS来导通，感兴趣的话就随小编一起来了解下P沟道和N沟道MOS管开关电路图吧!

Mos管关电路图

MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。

各种MOS管，都是具有栅极（Gate，简称G）、漏极（Drain，简称D）、源极（Source，简称S）三个电极。其主要的工作原理，就是通过在栅源之间电压的改变，控制漏源之间的电流变化；这与三极管，用基极电流控制集电极电流（Ic）是不同的。优点在于，提供电压控制比电流控制更容易实现。由于MOS管都具有三个电极，因此，它们的顺序自然可以任意排列，但使用时，一定要注意栅极G不要搞错了，接了错误的电压，容易到导致栅下氧化层被击穿，导致器件损坏。

1、P沟道MOS管开关电路

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。

2、N沟道mos管开关电路

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。

以上就是关于场效应管开关电路的相关介绍,高端驱动一般应用的是PMOS的特性，而低端驱动一般应用于NMOS的特性，测量的是栅极G与源极S的压差。