mos管工作电路
工作频率和驱动信号的占空比不是很大,并且VMOS的功率规格也不是很大时,普通并不需求为VMOS配置特地的驱动电路。通用的CMOS半导体(互补金属氧化物品体管逻辑IC)、TTL(晶体管逻辑)集成电路、常见的PWM专用IC的输出级都能够直接驱动VMOS。这种驱动方式普通适用于驱动信号的产生及控制电路与VMOS构成的功率级电路共地的状况。
TTL集成电路的逻辑电平为5V,输出级通常由BJT(双极性晶体管)组成,信号普通从集电极输出,这就是常说的“集电极开路输出”,当然,输出级也有采用MOSFET的,这就是“开漏输出”。上述开路输出方式需求外部电路配置偏置电阻,以树立工作点,限定输出电流(图5.71)。
在驱动才能有限的条件下,为了减小引线寄生电感的影响,VMOS间隔控制电路越近越好。为了防止栅极电流对控制电路的影响,图中的旁路( Bypass)电容也是引荐要采刚的,普通采用聚酣、CBB、瓷片等无极性电容,容量为0.1~lμF即可。
采用TTL集成电路驱动MOS另一个需求留意的问题是,工作电压至少要高于VMOS的开启电压VGS(th),而且要保证图中A点的驱动电压高于开启电压。用CMOS来驱动根本上不需求思索这样的问题,由于此类Ic能够提供12V左右的信号电平(图5.72)。
图5. 72中的TTL和CMOS电路符号画成了(逻辑)门电路的方式。门电路输出的波形十分规整,关于方波而言,就是十分“方”的波形,十分合适驱动开关电路厂作,只是功率输出才能有限,普通称之为“电平信号,常见的逻辑门电路符号如图5.73所示,关于它们的概念,很容易找到相关的公开材料,也不是本书讨论的主要内容,在此不再赘述。
Q3、Q4既能够采用通用的小功率晶体管,也能够采用小功率互补对管,如FPQ6502等等。