IGBT管好坏的检测方法

IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G-E两极与G-c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e-C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e-C极间正向压降约为0.5V。

内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。

如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际工作中IGBT管多为击穿损坏。

功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极管的判断。

对于IGBT模块我们还需判断在有触发电压的情况下能否导通和关断。

逆变器IGBT模块检测： 将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反用二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。

以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。

IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性， 万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏变频调速系统在异步电机确定后，通常应根据异步电机的额定参数或根据电机实际的运行参数来选择变频器。

实践中发现，对变频器额定电流的选择应给予高度的重视。选择变频器如果只考虑容量不考虑电流，极易造成变频器的烧毁。因此，计算变频器容量时必须留有适当的余地。

通常要求变频器的额定电流：≥（1.05～1.1）IN（1）或I变≥（1.05～1.1）IMAX （2）式中

I变----变频器的额定电流

IN----电机的额定电流

IMAX----电机实际运行中的最大电流

按容量选择时，则变频器容量：P变≥1.732&TImes;KINUN10-3 （KVA）（3）

式中

IN----电机额定电流

UN----电机额定电压

K----安全系数，一般选取（1.05～1.1）

例如，选择的电机的额定电压UN=380V，额定电流IN=7.2A。

根据式（1），变频器额定电流选取：

I变≥1.1IN=1.1&TImes;7.2=7.92（A）

根据式（3）变频器容量选取：

P变≥1.732&TImes;1.05&TImes;7.2×380×10-3=4.98（KVA）

根据以上计算，变频器可选取功率≥5KVA，额定电流≥8A的变频器。

判断极性

将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，将黑表笔固定接在某一电极上，另一表笔（红表笔）分别接其它 两只管脚，若阻值均为无穷大，对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上，另一表笔（黑表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。其余两 极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为漏极（D）；黑表笔接的为源极（S）。

判断好坏

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同 样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。