图解三级管振荡电路图（一）

三极管多谐振荡电路原理图

下面我们将简要分析该电路的工作原理

上图所示为结型晶体管自激或称无稳态多谐振荡器电路。它基本上是由两级RC藕合放大器组成，其中每一级的输出藕合到另一级的输入。各级交替地导通和截止，每次只有一级是导通的。

从电路结构上看，自微多谐振荡器与两级Rc正弦振荡器是相似的，但实际上却不同。正弦振荡器不会进入截止状态。而多谐振荡器却会进入截止状态。这是借助于Rc耦合网络较长的时间常数来控制的。尽管在时间上是交替的，可是这两级产生的都是矩形波输出。所以多谐振荡器的输出可取自任何一级。

电路上电时，Vcc加到电路，由于两只三极管都是正向偏置的故他们处于导通状态，此外，还为藕合电容器Cl和C2充电到近于Vcc电压。充电的路径是由接地点经过晶体管基极，又通过电容器而至Vcc电源。还有些充电电流是经过R1和R2的，从而导致正电压加在基极上，使晶体管导电量更大，因而使两级的集电极电压下降。

在上述多谐振荡电路原理图中两只晶体管不会是完全相同的，因此，即使两级用的是相同型号的晶体管和用相同的元件值，一个晶体管也会比另一个起始导电量稍微大些。

假定Ql的导电量稍大些，由于Ql的电流大，它的集电集电压下降就要比Q2的快些。结果，被通过电阻器R2放电的电容器C2藕台到Q2基极的电压就要比由C1和Rl藕合到Ql基极的电压负值更大些。这就使得Q2的导电量减少，而它的集电极电压则相应地增高了。

Q2集电极升高的电压，是作为正电压藕合回Ql基极的。这样，Q1导电更多，从而引起它的集电极电压进一步下降，由于C2还在放电。故驱使Q2的基极电压向负的增大。

这个过程继续到最终Q2截止，而Ql在饱和状态下导通为止。此时，电容器C2仍然通过电阻器R对接地点放电。Q2级保持截止直至C2已充分放电使得Q2的基极电压超过截止值为止。然后Q2开始导通，这样就开始了多谐振荡器的第二个半周。

由于Q2开始导通，它的集电极电压就开始下降，导致电容器Cl通过电阻器Rl开始放电，这样，加到Q1基集的是负电压。Q1传导的电流因此而减小，并引起Ql集电极电压升高。

这是作为正电压藕合到Q2基极的，于是Q2传导的电流就更大。就象前半周的工作一样，这是起着正反馈作用的，并持续到Ql截止，Q2在饱和状态下导通为止。Q2保留在截止状态，直至C1已充分放电，Ql开始脱离截止状态为止。此时，完整的周期再次开始。

好一级导通时间的长短，取决于另一级截止的时间。也就是取决于C1Rl和C2R2的时间常数RC。时间常数越小转换作用也就越快，因此多谐振荡器的输出频率就越高。就上述的电路来说，两个RC网络的时间常数相同，两个晶体管的导通和截止周期是相等的，故称之为对称的自微多谐振荡器。

最简单三级管振荡电路图（二）

极管TV2进行信号放大，经电容C8耦合输出。其中，电阻RI、R2和电阻R5、R6、R7是三极管VT1和VT2的直流偏置元件。L2是高频扼流线圈，给振荡管VT1的集电极电流提供一个直流通路。C2为隔直电容。C3、C7是交流旁路电容，使VT1的发射极处于交流零电位，但直流电位不为零。电感L1，电容C6，电阻R3为改善电源滤波电路，其作用是减少纹波电压以振高直流分量。略调电容C4、C8，可以改变耦合信号的大小。

1.元器件选择

电容C1为20p，C2为100p，C3、C7为820p，C4为56p，C5、C8为47p，C6为47u/50V。电感L1为22uH（色码电感），L2为0.3uH。电阻R1为1.6kΩ，R2为1kΩ，R3为750Ω，R4为180Ω、1W，R5为1.3kΩ，R6为3kΩ，R7为360Ω，R8为470Ω，R9—R12为300Ω、2W。三极管VT1、VT2选3DG82B，65≤β≤115。晶体SJT用JA9B型－70MHz。继电器KM为JUC-1M。

2.使用时应注意

（1）在应用石英晶体时，有一个必须注意的实际问题，这就是晶体本身的

激励功率。激励功率较大时，输出功率也大，这时，晶体三极管引入的噪声影响不大。但是，晶体激励功率过大会使晶体长期稳定性（老化特性）变坏。晶体激励功率小时，长期稳定性较好，但是使用低噪声晶体三极管较佳。

（2）由于晶体频率受温度影响很大，为保证对晶体频率稳定度的要求，必

须注意晶体恒温。即将晶体放在恒温槽内，由恒温控制电路来保证恒温槽内的温度使其维持在晶体的拐点温度。因此，为使振荡频率和震荡幅度稳定，将晶体SJT和VT1、VT2放入恒温箱内。恒温箱是用R9－R12四只2W金属膜电阻加热，一只小型密封温度继电器KM作温度控制元件。箱内温度在+55℃（所用晶体的拐点温度一般在+60±5℃）。为减小恒温箱的体积，其电路中的元器件尽可能选其体积越小越好。如箱内温度高于+55℃时，KM－1.2触点断开；如≤+55℃时，KM－1.2触点闭合，以保证箱内温度温定在+55℃。

最简单三级管振荡电路图（三）

采用运算放大器的晶体振荡器电路。此电路采用761运算放大器，输出脉冲频率可达10MHz。2kΩ电阻用来作运算放大器输出级集电极开路的负载。

最简单三级管振荡电路图（四）

该电路采用场效应晶体管，可构成性能极好的石英晶体振荡器电路。微调电容用于调整频率，扼流圈可根据频率范围选取，使ωL ＞20K Ω 。

最简单晶体管振荡电路图（五）

如图所示是由A1的三个门、四个电阻、调谐电容和一块晶体所构成简单的晶体振荡器电路。

晶体振荡电路

在图中，其中A1和晶体谐振子SJT及电容组成4069kHz的方波信号。将开关置1点，送至A2，经A2的二分频后，获得2048kHz振荡信号；将开关置于3点，送至A3，经A3的二分频后，获得128kHz振荡信号。调谐电容C1和C2，可使频率准确的调谐在中心频率上。

由晶体SJT连接在A1的输入和输出端之间，用以提供反馈回路，在晶体的基频上产生振荡。

最简单三级管振荡电路图（六）

由上图可见，这个电路是由两个非门（反相器）用电容C1，C2构成的正反馈闭合环路。三级管Q1的集电极输出接在Q2的基集输入，Q2的集电极输出又接在Q1的基极输入。电路接通电源后，通过基极电阻R2，R3同时向两个三极管Q1，Q2提供基极偏置电流。使两个三极管进入放大状态。虽然两个三级管型号一样对称。但电路参数总会存在微小的差异，也包括两个三极管本身，也就是说T1，T2的导通程度不可能完全相同，假设Q1导通快些，则D点的电压就会降的快些。这个微小的差异将被Q2放大并反馈到Q1的基极，再经过Q1的放大，形成连锁反应，迅速使Q1饱和，Q2截止，D点变成低电平“0”，C点变成高电平“1”。

Q1饱和后相当于一个接通的开关，电容C1通过他放电。C2通过它充电。随着C1的放电，由于有正电源VCC的作用，Q2的基极电压逐渐升高，当A点电压达到0.7V后，Q2开始导通进入放大区，电路中又会立刻出现连锁反应，是Q2迅速饱和，Q1截止，C点电位变电平“0”。D点电位变高电平“1”。这个时候电容C2放电，C1充电。这一充放电过程又会使Q1重新饱和，Q2截止。如此周而复始，形成振荡。

由上可以知道通过改变C1，C2的电容大小，可以改变电容的充放电的时间，从而改变振荡频率。