一、单结晶体管的结构和等效电路

单结晶体管的外形很象晶体三极管，它也有三个电极，称为发射极e，第一基极b₁，第二基极b₂，又叫双基极二极管。因为只有一个PN结所以又称为单结晶体管。外形及符号如图(a)、(b)所示。图中发射极箭头指向b₁，表示经PN结的电流只流向b₁极。单结管的等效电路如图(C)所示，r_b1表示e与b₁之间的等效电阻，它的阻值受e-b₁间电压的控制，所以等效为可变电阻。两个基极之间的电阻用R_bb表示，即：R_bb=R_b1+R_b2，R_b1与R_bb的比值称为分压比h=R_b1/R_bb，h一般在0.3～0.8之间。

二、工作原理和特性曲线  

伏安特性变化如图所示。

★图中，当V_BB固定，等效电路中，A点对b₁的电压U_A=hV_BB为定值。当U_e较小时，U_e<U_A，PN结反偏，此时只有很小的反向漏电流I_EO（几微安）如图中曲线“1”段。
★当U_e增大，U_e=U_A时，PN结处于零偏，i_E=0。
★U_e继续增大，当U_e>U_A，i_E开始大于零，由于硅二极管的正向压降为0.7V，所以i_E不会有显著的增加，这个电压称为峰值电压U_P，对应电流称为峰值电流I_P。这一区域称为截止区。

★U_e继续增加，U_e>U_A，管子转向导通，PN结电流开始显著增加，这时将有大量的空穴进入基区，e、b₁间载流子大量增加，使r_b1迅速减小，而r_b1的减小又使U_A降低，导致i_E又进一步加大，这种正反馈的过程，使i_E急剧增加U_A下降，单结管呈现了负阻特性，图中曲线“2”线段，到了“C”点负阻特性结束，C点电压U_V称为谷点电压，一般为1～2.5V，对应的电流称为谷点电流Iv，一般为几毫安。
★过了谷点之后，继续增加U_e，i_E～U_e曲线形状接近二极管导通时的正向特性曲线。如曲线“3”线段，此时称为饱和区。饱和压降一般小于4～5V。
★当改变V_BB电压，改变了阀值电压U_A，曲线的峰点电压也随之改变。
 

　　三、应用举例

振荡：指在没有输入信号的情况下，电路输出一定频率、一定幅值的电压或电流信号。

如图所示为单结晶体管组成的振荡电路，其工作原理如下：

★当合闸通电时，电容C上的电压为零，管子截止，电源V_BB通过电阻R对C充电，随时间增长电容上电压 (即 )逐渐增大；

★一旦 增大到峰点电压U_P后，管子进入负阻区，输入端等效电阻急剧减小，使C通过管子的输入回路迅速放电， 两端电压随之减小，一旦 减小到谷点电压U_V后，管子截止；
★电容又开始充电，重复上述过程。
由于充电时间常数远大于放电时间常数，当稳定振荡时，电容上电压的波形如图所示。