可控硅做的电炉功率调节电路图如下图所示。调节单刀四掷开关SA的档位，可以改变电容C1的充放电速率。利用C1两端交流电压通过双向触发二极管VD3去触发双向晶闸管VS导通、并改变了VS的导通角，使负载RL两端交流电压随之发生变化。

两只发光二极管VD2、VD5是指示灯，它们的亮度会随着档位的调节反比例变化，输出电压最高时（功率最大）VD2最亮，输出电压最低时（功率最小）VD5最亮。R5是限流电阻，用来保护可控硅。电阻R7、电容C2为吸收回路，用以滤除电磁干扰脉冲。

元器件选择

电容C1选用0.1uF/160V，C2选0.022uF/400V(涤纶电容器)。
电阻R1为56kΩ、1/2W，R2为39kΩ、1/4W，R3为27kΩ、1/4W，R4为2kΩ、1/4W，R5为47Ω、1/2W，R6为100kΩ、1/2W(可变)，R7为300Ω、1/4W，R8为43kΩ、1/2W。
二极管VD1、VD4用1N4007。两只发光二极管用普通型即可。双向触发二极管VD3为DB3或VR60。双向可控硅根据电炉的功率来选择。