单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT32参数，它分为A~H共8个具体型号。

BT32A参数

分压比（η）：0.3~0.55
基极间电阻（R_BB）：3~6kΩ
E对B1间反向电压：≥60V
反向电流：≤1μA
峰值电流：≤2μA
饱和压降：≤4.5V
调制电流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32B参数

分压比（η）：0.3~0.55
基极间电阻（R_BB）：5~10kΩ
E对B1间反向电压：≥60V
反向电流：≤1μA
峰值电流：≤2μA
饱和压降：≤4.5V
调制电流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32C参数

分压比（η）：0.45~0.75
基极间电阻（R_BB）：3~6kΩ
E对B1间反向电压：≥60V
反向电流：≤1μA
峰值电流：≤2μA
饱和压降：≤4.5V
调制电流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32D参数

分压比（η）：0.45~0.75
基极间电阻（R_BB）：5~10kΩ
E对B1间反向电压：≥60V
反向电流：≤1μA
峰值电流：≤2μA
饱和压降：≤4.5V
调制电流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32E参数

分压比（η）：0.65~0.85
基极间电阻（R_BB）：3~6kΩ
E对B1间反向电压：≥60V
反向电流：≤1μA
峰值电流：≤2μA
饱和压降：≤4.5V
调制电流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32F参数

分压比（η）：0.65~0.85
基极间电阻（R_BB）：5~10kΩ
E对B1间反向电压：≥60V
反向电流：≤1μA
峰值电流：≤2μA
饱和压降：≤4.5V
调制电流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32G参数

分压比（η）：0.55~0.75
基极间电阻（R_BB）：10~15kΩ
E对B1间反向电压：≥60V
反向电流：≤1μA
峰值电流：≤2μA
饱和压降：≤4.5V
调制电流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32H参数

分压比（η）：0.55~0.75
基极间电阻（R_BB）：5~10kΩ
E对B1间反向电压：≥40V
反向电流：≤1μA
峰值电流：≤2μA
饱和压降：≤4.5V
调制电流：9~35mA
耗散功率：300mW

测试条件

基极间电阻：U_BB=20V；I_E=0
E对B1间反向电压：I_EO=1μA
反向电流：U_EBO=60V
峰值电流：U_BB=20V
饱和压降：U_BB=20V；I_E=50mA
调制电流：U_BB=20V；I_E=50mA