电子开发网

电子开发网电子设计 | 电子开发网Rss 2.0 会员中心 会员注册
搜索: 您现在的位置: 电子开发网 >> 基础入门 >> 半导体技术 >> 正文

PN结的电容效应——势垒电容

作者:佚名    文章来源:本站原创    点击数:    更新时间:2020-07-18
在一定条件下,PN结显现出充放电的电容效应。不同的工作情况下的电容效应,分别用势垒电容和扩散电容予以描述。
势垒电容CB
势垒电容CB描述了PN结势垒区空间电荷随电压变化而产生的电容效应。PN结的空间电荷随外加电压的变化而变化,当外加电压升高时,N区的电子和P区空穴进入耗尽区,相当于电子和空穴分别向CB“充电”,如图(a)所示。当外加电压降低时,又有电子和空穴离开耗尽区,好像电子和空穴从CB放电,如图(b)所示。CB是非线性电容,电路上CB与结电阻并联。在PN结反偏时结电阻很大,CB的作用不能忽视,特别是在高频时,它对电路有较大的影响。 

PN结的电容效应——势垒电容 

Tags:PN结,电容效应  
责任编辑:admin
请文明参与讨论,禁止漫骂攻击,不要恶意评论、违禁词语。 昵称:
1分 2分 3分 4分 5分

还可以输入 200 个字
[ 查看全部 ] 网友评论
关于我们 - 联系我们 - 广告服务 - 友情链接 - 网站地图 - 版权声明 - 在线帮助 - 文章列表
返回顶部
刷新页面
下到页底
晶体管查询