赛贝克效应是指由于两种不同电导体或半导体的温度差异而引起两种物质间的电压差的热电现象。

赛贝克效应的原理可以简单解释为：在两种金属组成的回路中，如果两个接触点的温度不同，则在回路中将出现电流，称为热电流。同时在该电势差作用下产生一个反向电荷流，当热运动的电荷流与内部电场达到动态平衡时，半导体两端形成稳定的温差电动势。

赛贝克效应在生活中有诸多应用，例如利用它可制成温差电偶（热电偶）来测量温度，热电偶温度计可以测量从-180℃到+2800℃的温度范围。此外，热电制冷也是利用热电效应的一种制冷方法，其理论基础就是固体的热电效应。

 
塞贝克效应的物理本质是由于两种不同电导体或半导体的温度差异而引起两种物质间的电压差的热电现象。

塞贝克效应，‌也称为第一热电效应，‌是基于热电效应的一种现象，其中当两种不同材料的接触点处于不同温度下时，‌它们之间会形成一个温度梯度。‌如果这两个材料具有不同的热电导率和电子迁移率，那么在接触点附近就会产生一个电势差。‌这种电势差的形成可以简单解释为在温度梯度下导体内的载流子从热端向冷端运动，‌并在冷端堆积，‌从而在材料内部形成电势差。‌同时，‌在该电势差作用下产生一个反向电荷流，‌当热运动的电荷流与内部电场达到动态平衡时，‌半导体两端形成稳定的温差电动势。半导体的温差电动势较大，‌可用作温差发电器。‌

 塞贝克效应的成因可以进一步解释为在温度梯度下，‌导体内的载流子从热端向冷端运动，‌并在冷端堆积，从而在材料内部形成电势差。‌这种电势差可以通过连接导线来测量和利用。‌不同材料的赛贝克系数是一个重要参数，‌它描述了单位温度差异下产生的电势差大小。‌

塞贝克效应不仅在基础物理研究中具有重要意义，其应用价值也备受关注，特别是在热电材料的应用方面。‌塞贝克效应的物理本质不仅解释了热电现象的基本原理，也为热电转换技术、‌温度测量、‌节能应用、‌热电制冷以及材料分析等领域提供了理论基础和技术支持。‌

Peltier效应
Peltier效应，也称为帕尔帖效应，是一种电热转换效应，当电流通过由两种不同导体组成的回路时，除了产生焦耳热外，还会在不同导体的接头处出现吸热或放热的现象。 这个效应是法国物理学家Jean-Charles Athanase Peltier在1834年发现的。具体来说，当电流从一个导体流向另一个时，一个接头会放热，而另一个接头会吸热。这种效应在半导体材料中表现得尤为明显，被广泛应用于半导体制冷技术中。例如，半导体制冷片利用Peltier效应进行制冷，其中一个接头会放热，而另一个则吸热，从而实现制冷效果。此外，Peltier效应与Seebeck效应（温差电效应）密切相关，后者描述的是温度差异在两种不同导体间产生电势差的现象，而Peltier效应则是其逆过程，即电流通过不同导体时产生温度差异的现象。

半导体制冷片的温差通常在20-70℃之间。
一、半导体制冷片的工作原理
半导体制冷片是利用半导体材料的热电效应(帕尔帖效应)来实现制冷的一种技术。当电流通过半导体材料时，会在不同温度下产生热电效应，使得材料一侧产生冷却效应，另一侧则产生加热效应，在此基础上可以实现制冷。半导体制冷片制冷过程不需要任何制冷剂，也没有机械运动部件，因此具有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
二、半导体制冷片温差的计算方式
半导体制冷片的温差是指冷侧温度和热侧温度之间的差值。通常，半导体制冷片的温差在20-70℃之间。具体的温差大小取决于多方面因素，如半导体材料的性能、电源输入电压、散热器的散热能力等。一般来说，制冷片厂家会根据实际应用需求提供相应的温差值和制冷能力。