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晶体管开关电路的设计

作者:佚名    文章来源:本站原创    点击数:4243    更新时间:2010-1-31
序言:
    (1)说明:一直以来我都对三极管开关电路很疑惑,比如驱动继电器和三极管
             到底是用PNP还是NPN,到底是将负载放到三极管上面还是下面?为此
             专门仔细阅读了《晶体管电路设计(下)》晶体管开关电路部分,得
             实验结果若干,与大家共享。
    (2)参考书籍:《晶体管电路设计(下)》

提要:
    1.发射极接地型开关电路
    2.提高开关速度的方法-︳(1)使用加速电容
                         ︳(2)肖特基箍位
    3.射极跟随器型开关电路 
    4.注:所用三极管为9011(NPN)

正文:
 
    1.我翻过论坛里关于晶体管开关的很多帖子,我将网友的观点总结如下:
        1、2接法:(1)可以让三极管深度饱和,是管压降在0.2V左右,
                  (2)这样可以降低功耗。
                  (3)缺点:开关速度慢
                 
        3、4接法:(1)可以不加其他元件直接应用(不用串联基极电阻)
                  (2)开关速度快
                  (3)缺点:射极跟随器,工作在放大状态,压降较大,不能深度饱和

 (原文件名:1.jpg) 
 



 (原文件名:2.jpg) 
 



    2.提高开关速度的方法
      (1)使用加速电容(有点效果,但远没有书中的明显,或许因为9011的特性比书作者

的好,即使不接加速电容效果也相对不错)

 (原文件名:3.jpg) 



      (2)肖特基箍位(很杯具,效果不仅没变好,反而变得更糟糕,很疑惑这里到底出了

什么问题,与书上的结果差距这么大!)

 (原文件名:4.jpg) 
 




 (原文件名:5.jpg) 



-------------------------------------------------------------------

BTW(顺便问一下):下面这种TXT样式的图形使用什么软件设计出来的?
VCC 
 - 
 | 
bell 
 | 
NPN--R-------IO 
 |       |  
GND      R 
         | 
        GND

Tags:开关电路,晶体管,电路  
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xx2011/10/11 16:30:473分
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