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双向可控硅

作者:佚名    文章来源:本站原创    点击数:1315    更新时间:2014-12-3

双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

导读:可控硅工作原理

双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端:TRIode(取前三个字母)
交流半导体开关:ACsemiconductorswitch
(取前两个字母)
以上两组名词组合成“TRIAC”
中文译意“三端双向可控硅开关”。

三端双向可控硅
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
双 向:Bi-directional(取第一个字母)
控 制:Controlled(取第一个字母)
整流器:Rectifier(取第一个字母)
再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
双 向:Bi-directional(取第一个字母)
三 端:Triode(取第一个字母)
由以上两组单词组合成“BT”,也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如:意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司,均以此来命名双向可控硅。
代表型号如:PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅;
Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的,通常是指三象限的双向可控硅。
而意法ST公司,则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成:“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号,如:
三象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等;
四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等;
ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的,均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”;代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。
至于型号后缀字母的触发电流,各个厂家的代表含义如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,
型号没有后缀字母之触发电流,通常为25-35mA;
PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义,以产品的封装不同而不同。
意法ST公司:TW=5mA,SW=10mA,CW=35mA,BW=50mA,C=25mA,B=50mA,H=15mA,T=15mA,注意:以上触发电流均有一个上下起始误差范围,产品PDF文件中均有详细说明
一般分为最小值/典型值/最大值,而非“=”一个参数值。[1]

三端双向可控硅 

参数符号
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向反复峰值电压
IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
VISO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--断态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流

常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。

伏安特性:


反向特性

当控制极开路,阳极加上反向电压时,J2结正偏,但J1、J3结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅
速增加,特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向。
正向特性

当控制极开路,阳极上加上正向电压时,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫:正向转折电压,由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似


Tags:双向可控硅  
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